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SiC 是目前發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近幾年，SiC功率器件（HMDS烘箱）得到越來越多的商業(yè)化應(yīng)用，在光伏、風(fēng)電、電動汽車及軌道交通等中高功率電力系統(tǒng)應(yīng)用上具有巨大的優(yōu)勢。例如電動汽車使用 SiC模塊，其體積減小到原來的五分之一。SiC 肖特基二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、不間斷電源、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域，顯著減少電路損耗，提高工作頻率，減小電感等元件體積，提高系統(tǒng)功率密度。

以 SiC 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件，具有更小的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度和更高的阻斷電壓，為電源技術(shù)提供了難得的發(fā)展機遇，采用寬禁帶半導(dǎo)體器件，可以實現(xiàn)更高的變換效率，更高的功率密度，更高的可靠性。

以 SiC 材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體因其具有高耐壓、低損耗、高效率等優(yōu)異特性，被視為“理想器件”而備受期待。在攻克 SiC 功率器件后，將轉(zhuǎn)向?qū)崿F(xiàn)兆赫茲電源的系列問題，如磁性器件高頻化設(shè)計、磁集成技術(shù)、高頻大功率電源電磁兼容技術(shù)等，由此將帶來電源技術(shù)的突破，真正實現(xiàn)高性能、微型化的新一代宇航電源。功率開關(guān)器件是推動電源技術(shù)跨越式發(fā)展的基石，SiC功率器件（HMDS烘箱）的出現(xiàn)將推動電源技術(shù)更新?lián)Q代，再創(chuàng)輝煌，由此將帶來宇航電源技術(shù)和產(chǎn)品的全面革新，宇航電源技術(shù)的發(fā)展，實現(xiàn)更小的體積和質(zhì)量、更優(yōu)異的性能、更大的功率和更高的可靠性，從而助力整個航天技術(shù)的發(fā)展。

SiC功率器件（HMDS烘箱）用途：

光刻是半導(dǎo)體制造過程中的一部分。它用于描繪代表硅晶片表面特定器件或電路結(jié)構(gòu)的圖案。這些圖案由光刻膠掩模制成，可保護其下方的基板免受后續(xù)處理。未受保護表面的物理或電氣特性會被各種類型的工藝步驟改變，例如蝕刻、沉積、離子注入、濺射等。這個循環(huán)重復(fù)多次，直到完成整個器件。光刻是一個耗時且昂貴的過程。附著力不足通常會導(dǎo)致 PR 翹起、圖案變形，在剝離抗蝕劑后需要再次重復(fù)該過程。如果 JS-HMDS90 烘箱蒸汽底漆工藝可以在兩周內(nèi)消除一次光刻返工工藝，因為與使用涂布機軌道的 HMDS 底漆相比，它們具有優(yōu)異的附著力，這將為任何晶圓廠節(jié)省大量成本和時間。