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近日，基于對光柵衍射及其在超高精度干涉測距與成像應用的深入研究，清華大學深圳國際研究生院李星輝副教授、王曉浩研究員團隊應邀撰文綜述光刻機光柵定位與套刻測量技術(shù)發(fā)展。 

首先，在目前光刻機晶圓臺的亞納米級定位需求中，光柵干涉測量具有較大優(yōu)勢，測量分辨率可達17pm，長期測量穩(wěn)定性可達0.22nm，采用的二維平面光柵可以實現(xiàn)空間六自由度測量，是14nm及以下光刻工藝制程的重要技術(shù)路線。其中需要突破的關(guān)鍵技術(shù)包括多自由度與式測量原理、大面積二維平面計量光柵的制作與表征、大規(guī)模并行數(shù)據(jù)的同步處理等。其次，圍繞評價多層光刻工藝之間對準、監(jiān)控光刻工藝良率的關(guān)鍵參數(shù)“套刻誤差”，基于衍射技術(shù)的套刻測量技術(shù)（DBO）具有亞納米級的測量精度，逐漸成為14nm以下制程光刻機的套刻誤差測量中有競爭力的技術(shù)路線。但是DBO技術(shù)路徑的完善，還面臨測量精度穩(wěn)定性提升、測量量值的溯源技術(shù)、測量效率的提升等技術(shù)與工程難題。